SCTWA40N120G2V-4_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具備出色的電氣特性，最大導通電流（ID/A）為32A，適用于處理較高功率需求的應用。器件設(shè)計支持高達1200V的最大漏源電壓（VDSS/V），增強了在高壓環(huán)境下的可靠性。其導通電阻（RDSON/mR）為75毫歐姆，有助于降低系統(tǒng)功耗，提高整體效率。柵源電壓（VGS/V）為±15V，簡化了驅(qū)動電路的設(shè)計。該MOSFET是構(gòu)建穩(wěn)健且高效能電路的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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