AIMZH120R160M1T_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:19A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)是一款N溝道器件，具備19A的連續(xù)漏極電流(ID)能力和1200V的漏源電壓(VDSS)。其導(dǎo)通電阻僅為160mΩ(RDON)，能夠有效降低系統(tǒng)能耗，提高效率。柵源電壓(VGS)為20V，確保了良好的驅(qū)動性能和可靠性。該產(chǎn)品適用于需要高電壓、大電流處理能力的應(yīng)用場景，如高效電源轉(zhuǎn)換、逆變器及開關(guān)電路設(shè)計等，是追求高性能與可靠性的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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