TW083Z65C_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:27A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
碳化硅場效應管（MOSFET）是一款基于先進材料技術的高性能開關元件，適用于高效率電力轉換應用。該N溝道器件的最大 drain-source 持續電流（ID）可達27安培，支持650伏特的drain-source擊穿電壓（VDSS），確保在高壓環境中穩定工作。其導通電阻（RDON）低至60毫歐，在降低傳導損耗的同時提高了能量轉換效率。器件的工作柵源電壓（VGS）范圍為-8至!9伏特，提供了寬泛的操作靈活性。碳化硅MOSFET憑借其優異的電氣特性，非常適合用于緊湊型電源供應器、可再生能源系統以及需要高效能和快速響應的電子設備中。
