NTHL1000N170M1_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備5A的連續(xù)漏極電流（ID/A），最大可承受1700V的漏源擊穿電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）為1000毫歐姆，在柵源電壓（VGS/V）為20V時提供穩(wěn)定的性能。此器件適用于需要高電壓隔離與快速開關(guān)特性的電力轉(zhuǎn)換解決方案中，如高性能的電源管理系統(tǒng)或便攜式電子設(shè)備的充電解決方案，能夠在保證低能耗的同時，支持更緊湊的設(shè)計要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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