NTH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有120A的連續(xù)漏極電流（ID/A），并且設(shè)計(jì)有650V的漏源擊穿電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）低至15毫歐姆，在15V的柵源電壓（VGS/V）下表現(xiàn)出色。憑借其低損耗特性，該MOSFET適用于高功率密度轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如高性能的開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源系統(tǒng)等，能夠在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和熱穩(wěn)定性，從而優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
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