NVH4L040N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:78A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具有78A的漏極電流（ID）承載能力，以及高達1200V的漏源電壓（VDSS），展現(xiàn)了優(yōu)異的高壓處理性能。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為40毫歐，有助于顯著降低能耗。柵源電壓（VGS）額定值為±18V，提供了可靠的驅(qū)動保障。該器件適用于追求高性能與低功耗的應(yīng)用領(lǐng)域，在高頻逆變和其他需要堅固耐用且高效能元件的電路設(shè)計中尤為適用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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