IMZ120R220M1H_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:19A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）屬于N溝道類型，具有19A的連續(xù)電流能力（ID/A），能夠承受的最大電壓（VDSS/V）為1200V。其導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）為160毫歐，確保了較低的功耗。該器件的工作柵源電壓（VGS/V）為±20V，適用于需要高效率和高頻操作的應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、太陽能逆變器以及其他要求苛刻的電力管理解決方案中。其優(yōu)越的性能使其成為高性能電力電子的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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