TW140N120C,S1F_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:17A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備17A的最大漏極電流（ID），并且能夠承受高達(dá)1200V的漏源電壓（VDSS），適合應(yīng)用于需要高電壓穩(wěn)定性的電路設(shè)計(jì)中。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為160毫歐，有助于減少能量損失。該器件的柵源電壓（VGS）工作范圍是-4V至!8V，提供了靈活的操作區(qū)間。憑借其出色的電氣性能，此碳化硅MOSFET是實(shí)現(xiàn)高效電源轉(zhuǎn)換及精密控制的理想選擇，在多種電子設(shè)備中均能發(fā)揮關(guān)鍵作用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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