SCT018W65G3-4AG_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）支持高達(dá)120安培的連續(xù)漏極電流（ID），并具備650伏特的漏源電壓承受能力（VDSS）。其導(dǎo)通電阻僅為15毫歐姆（RDON），有助于實(shí)現(xiàn)低功耗和高效率。該器件的最大柵源電壓（VGS）為15伏特，適用于需要快速開關(guān)速度與良好熱性能的應(yīng)用場(chǎng)合，比如高性能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、逆變裝置等，確保了在各種嚴(yán)苛條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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