IMZ120R140M1H_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款碳化硅場效應管（MOSFET）采用N溝道設計，具備19A的最大導通電流（ID）以及高達1200V的漏源電壓（VDSS），適用于要求嚴苛的高電壓應用環(huán)境。其導通電阻（RDSON）僅為160毫歐，在大電流通過時能有效降低功耗。柵源電壓（VGS）最高可達20V，確保了良好的驅動兼容性和控制精度。此類器件適用于各類精密電子設備中的高效能電力管理模塊，如不間斷電源系統(tǒng)、太陽能逆變裝置中的功率調節(jié)與轉換環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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