IMW65R057M1H_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）設計有29A的最大導通電流（ID/A），并在斷態下能承受高達650V的電壓（VDSS/V）。其導通狀態下的電阻（RDSON/mΩ）為60毫歐姆，在確保低能耗的同時，提供了高效的電流管理能力。柵源極間電壓（VGS/V）的最大容許值為15V，有助于精確控制器件的開關狀態。該MOSFET適用于高頻開關應用及需高電壓處理能力的電力轉換解決方案中，如高性能的逆變技術和電源供應單元，可增強系統的穩定性和響應速度。
