IMZA65R048M1H_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），型號ID:49A，具有650V的漏源擊穿電壓VDSS，適用于需要高耐壓保護的應用場景。其導通電阻RDON僅為45mΩ，有助于減少功率損耗，提高能效。柵極源極電壓VGS范圍為-4V至!8V，確保了寬范圍的操作條件下的穩定性與可靠性。此款MOSFET憑借其卓越的開關性能和低能耗特性，非常適合應用于高效電力轉換系統，如高端電源管理和可再生能源設備中，是實現高性能、低維護解決方案的關鍵組件。
