IMW65R048M1H_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備穩(wěn)健的電氣性能，連續(xù)導(dǎo)通電流ID可達(dá)49A，適用于多種高電流密度的設(shè)計(jì)。其最大漏源擊穿電壓VDSS為650V，確保了在高壓應(yīng)用中的可靠性。該器件擁有較低的導(dǎo)通電阻RDSON，僅為33毫歐，有助于減少熱損耗，提高系統(tǒng)效率。柵源電壓VGS的閾值范圍是-5V至@0V，便于實(shí)現(xiàn)精確的開關(guān)控制。此MOSFET可廣泛應(yīng)用于需要高效率及高可靠性的電子裝置中，如高頻開關(guān)電源和其他注重性能穩(wěn)定性的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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