IMBF170R1K0M1XTMA1_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:700mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）設計用于高壓應用，具備6安培（ID）的最大電流承載能力和1700伏特（VDSS）的阻斷電壓。其導通狀態下的電阻（RDSON）為700毫歐，適合于需要高電壓隔離和低導通損耗的場合。工作柵源電壓（VGS）的范圍從-4伏特到!8伏特，提供了寬泛的驅動兼容性。該器件特別適用于需要高電壓穩定性及高頻操作的電力轉換解決方案中，如電信設備的電源管理或消費電子產品中的高壓處理單元。
