NTH4L075N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有29A的最大導通電流（ID），適用于需要高效能電流處理的應用。其漏源電壓（VDSS）最高可達650V，適合用于需要承受較高電壓的工作環境中。導通電阻（RDSON）為60毫歐，有助于降低系統功耗并提高整體效率。柵源電壓（VGS）的最大值為15V，提供了可靠的柵極驅動范圍。憑借這些特性，此MOSFET是高頻開關電源以及其他需要緊湊設計與高性能表現的電路解決方案中的理想選擇。
