NVH4L080N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）的最大導通電流（ID）為32A，適用于高密度功率應用場合。器件擁有高達1200V的漏源電壓（VDSS），能夠確保在高壓條件下依然保持穩定性能。導通電阻（RDSON）為75毫歐，有助于減少能量損耗，提升系統的整體效率。柵源電壓（VGS）的最大值為15V，確保了良好的開關控制特性。該MOSFET憑借其優異的電氣特性，適用于各種需要耐高壓和低損耗的高頻開關電路設計。
