IMW120R045M1_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備55A的連續(xù)排水電流（ID），支持最高1200V的漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為40毫歐，在導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗較低。作為一款N溝道器件，它擁有18V的柵源電壓（VGS），確保了精確的控制信號響應(yīng)。適用于要求苛刻的電源管理系統(tǒng)，例如在消費電子產(chǎn)品中的高效能電源轉(zhuǎn)換電路，以及復(fù)雜電子設(shè)備中的穩(wěn)壓模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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