SC075N120T8L_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具有N溝道結構，設計工作電流（ID/A）可達32A，最大承受漏源電壓（VDSS/V）為1200V。其導通電阻（RDSON/mΩ）僅為75毫歐，這有助于減少導通狀態下的能量損耗。柵源電壓（VGS/V）閾值為15V，確保了開關操作的可靠性。此款MOSFET適用于要求高效率與耐用性的電路設計中，特別是在需要高壓和大電流處理能力的應用場景下，能提供出色的性能表現。
