S2M0016120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:85A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:16mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
碳化硅場效應管（MOSFET），作為一款N溝道器件，其額定參數為：連續漏極電流85A，漏源極擊穿電壓1200V。該器件擁有低至16毫歐的導通電阻（RDS(on)），有助于減少能量損耗并提高效率。其工作柵源電壓范圍為-4到!5V，確保了穩定的操作性能。此款MOSFET適用于需要高效電力轉換和管理的設備中，例如用于可再生能源系統的逆變器、服務器電源以及各類高要求的電子系統，支持緊湊設計同時保證高性能與可靠性。
