G3R40MT12K_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:63A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有63A的連續電流ID/A，適用于需要高效能的應用場景。其最大漏源電壓VDSS/V為1200V，提供穩定的高壓操作保障。該器件的導通電阻RDON為32毫歐，有效降低了導通狀態下的功率損耗。柵源電壓VGS/V為±15V，確保了精確的控制信號傳輸。此MOSFET適用于高頻開關電源、可再生能源轉換裝置等領域，能夠在嚴苛環境下保持良好的工作性能。
