IMZ120R140M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)具備19A的最大漏極電流和高達1200V的漏源電壓，適用于需要高電壓處理能力的應用場景。其導通電阻為160mΩ，有助于平衡性能與功耗。柵源電壓范圍達到20V，確保了良好的驅動兼容性。該MOSFET特別適合于高性能電源管理、可再生能源轉換系統等領域，在這些應用中，它能夠提供穩定可靠的電氣性能，并且支持緊湊的設計需求。
