IMZ120R090M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)專為高性能需求設(shè)計(jì)，最大漏極電流可達(dá)32A，支持1200V的漏源電壓，適用于高電壓環(huán)境。其導(dǎo)通電阻為75mΩ，有助于減少功耗并提高效率。柵源電壓為15V，確保了良好的驅(qū)動(dòng)特性。此MOSFET適合應(yīng)用于要求高效能與緊湊尺寸相結(jié)合的領(lǐng)域，如高端電源解決方案或需要在嚴(yán)苛條件下保持可靠性的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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