GS-065-011-2-L-TR_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)具備10安培的連續漏極電流(ID)能力和650伏特的漏源電壓(VDSS)，導通電阻為160毫歐姆(RDON)，能夠有效降低系統功耗。其柵源電壓范圍在-1.4至&伏特(VGS)之間，屬于N型晶體管。憑借出色的開關速度與效率，該產品非常適合應用于要求高性能的電源轉換、消費類電子設備以及需要快速響應時間的場景中。
