IMW120R140M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:18A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）屬于N溝道類型，其最大漏極電流ID可達18A，最高漏源電壓VDSS為1200V，導(dǎo)通電阻RDON低至160毫歐，柵源電壓VGS范圍為20V。該器件利用碳化硅材料的優(yōu)異特性，實現(xiàn)了在高壓環(huán)境下的高效能與穩(wěn)定性，同時保持了較低的導(dǎo)通損耗。適用于需要高效率轉(zhuǎn)換和高可靠性的電力電子設(shè)備中，如電源適配器、太陽能逆變器及風(fēng)能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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