E3M0045065K_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備49A的連續(xù)電流能力（ID/A），最大漏源電壓可達650V（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為33毫歐，確保了在高電壓應(yīng)用中維持較低的能量損耗。柵源電壓（VGS/V）支持從-5V到@0V的范圍，增強了使用的靈活性。這些特性使其非常適合應(yīng)用于要求高效能與高頻率操作的電源轉(zhuǎn)換解決方案中，如便攜式電子產(chǎn)品充電設(shè)備或消費類電子產(chǎn)品中的電源管理系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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