CMS120N080WK_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)具有良好的電氣特性，最大漏極電流ID可達32A，支持1200V的漏源電壓VDSS，適合高壓環境下的應用。其導通電阻RDON為75mΩ，有助于降低功耗并提高效率。該MOSFET的工作柵源電壓VGS為15V，確保了在多種電子設計中的兼容性與靈活性。憑借快速的開關速度和低損耗特點，它非常適合要求高效能和高可靠性的電力轉換及控制方案中使用。
