C2M1000170J-TR_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:700mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有6A的連續電流ID，以及高達1700V的VDSS漏源電壓額定值。其導通電阻RDSON為700毫歐，在-4V到!8V的VGS柵源電壓范圍內工作。這些特性使得它非常適合用于高電壓要求的電力轉換設備，如高效的開關電源模塊、太陽能發電系統的逆變環節以及復雜環境下的電機調速器中，確保了電路的穩定性和可靠性。
