IPD30N06S4L-23_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）的設計參數包括：最大連續電流30A（ID），漏源電壓承受能力為60V（VDSS）。其導通電阻（RDSON）為22毫歐，有助于減少發熱和能量損失。該器件支持20V的柵源電壓（VGS），能夠確保可靠的開關性能。適用于各類電源管理方案，如DC/DC轉換器、便攜式設備充電電路等，可在保證高效能源利用的同時，提供穩定的電流控制。
