IPD25N06S4L30ATMA2_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30A的電流處理能力（ID），并支持最高60V的漏源電壓（VDSS），適用于多種高電流需求的應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為22毫歐，在導(dǎo)通狀態(tài)下可顯著降低功耗，提高系統(tǒng)效率。柵源電壓（VGS）最大可達(dá)20V，便于實(shí)現(xiàn)有效的開(kāi)關(guān)控制。該MOSFET適用于設(shè)計(jì)要求緊湊且高效的電源轉(zhuǎn)換電路及其他需要快速開(kāi)關(guān)特性的應(yīng)用中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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