IGLR60R260D1_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款氮化鎵晶體管（GaN HEMT）為N型設計，提供高達10A的導通電流（ID），并具備650V的最大漏源電壓（VDSS）。該器件的導通電阻（RDON）為160毫歐，能夠在高壓環境下保持較低的功耗。柵源電壓（VGS）的工作范圍為-1.4V到&V，適合用于多種電路設計中。其特性使其成為高頻開關電源、消費類電子產品中的電源轉換模塊以及便攜式設備充電解決方案的理想選擇。
