IGLR65R140D2_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）具有10安培的連續漏極電流(ID)能力和650伏特的漏源電壓(VDSS)，導通電阻僅為160毫歐姆(RDON)，能夠在高電壓下保持較低的功耗。其柵源電壓范圍從-1.4伏特到&伏特(VGS)，適用于N型電路設計。該器件以其優異的開關性能和低損耗特性，非常適合于高效電源轉換、消費電子產品等需要快速響應和高效率的應用場合。
