GS-065-011-1-L-TR_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）擁有650V的漏源電壓VDSS，導通電阻RDON為160mΩ，最大連續漏極電流ID可達10A。它支持-1.4V至&V的柵源電壓范圍，并且是N溝道類型。該器件適用于需要高效能和快速響應的應用場合，如消費電子、電源管理和通信設備中，能夠提供出色的開關速度與較低的能量損耗，確保系統運行更加穩定可靠。
