STL110N10F7_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:75A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有75A的連續(xù)漏極電流（ID/A），適用于要求較高的電流應(yīng)用場合。其最大工作電壓（VDSS/V）為100V，能夠承受較高電壓環(huán)境下的工作需求。導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）僅為7.3毫歐，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下其自身損耗較小，效率更高。柵源電壓（VGS/V）的最大值為20V，確保了有效的開關(guān)操作。此MOSFET適合用于需要高效能和可靠性的電路設(shè)計中，如電源管理、便攜式設(shè)備的電源開關(guān)等應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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