FQD19N10LTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計有15A的連續排水電流（ID），適用于需要大電流處理能力的應用。其額定漏源電壓（VDSS）為100V，確保了在高壓環境下的可靠性能。導通電阻（RDSON）僅為100毫歐，有助于在負載條件下保持低發熱和高效率。該MOSFET的最大柵源電壓（VGS）為±20V，增強了驅動兼容性和靈活性。適用于各種需要高性能電力轉換與控制的場合，如高性能計算硬件的電源管理單元或日常家用電器的電機驅動部分。
