SI2333CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:7A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備7A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為20V。其導(dǎo)通電阻僅為20毫歐姆，柵源電壓范圍可達12V。適用于需要緊湊設(shè)計與高效能表現(xiàn)的小型電子設(shè)備中，例如便攜式消費電子產(chǎn)品內(nèi)的電源管理、負載開關(guān)及信號控制等場景。低導(dǎo)通電阻有助于減少能耗，提高系統(tǒng)整體效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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