HUF75329D3S_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流（ID/A），并且能夠承受60V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為22毫歐（mR），有助于減少功率損耗，提高效率。該MOSFET適用于在最大20V的柵源電壓（VGS/V）條件下運(yùn)行，是設(shè)計(jì)需要高效能及可靠性的開關(guān)電源、LED照明驅(qū)動(dòng)以及消費(fèi)電子產(chǎn)品的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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