SSM3J331R,LF_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備4.2A的最大漏極電流（ID/A），并能承受高達20V的漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON）為48毫歐（mR），確保了在高頻率開關應用中的低損耗性能。該MOSFET設計用于在不超過12V的柵源電壓（VGS/V）下操作，適用于各種需要緊湊且高效解決方案的場合，例如消費電子設備中的電源管理或信號處理領域。
