SI1553CDL-T1-GE3_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.8A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款場效應管（MOSFET）涵蓋N溝道與P溝道類型，能夠提供高達0.8A的連續排水電流（ID），并在最大20V的漏源電壓（VDSS）下穩定運行。其導通電阻（RDSON）僅為320毫歐，在導通狀態下能有效降低功耗。該MOSFET支持±12V的最大柵源電壓（VGS），適合用于設計要求緊湊高效的應用場景，例如小型電子設備中的開關電源或電池保護電路等。
