IRF630PBF_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:9A 參數(shù)2：電壓VDSS:200V 參數(shù)3：RDON:220mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具備9A的連續(xù)漏極電流能力，支持高達(dá)200V的漏源電壓。其導(dǎo)通電阻僅為220毫歐姆，保證了較低的功率損耗與高效的電能轉(zhuǎn)換。柵源電壓范圍為20V，適用于需要精確控制和快速開關(guān)的應(yīng)用場景。此MOSFET設(shè)計緊湊、性能可靠，適合于各種要求嚴(yán)苛的電子設(shè)備中作為開關(guān)元件或信號放大器使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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