SI5618_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:140mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備2安培的最大連續漏極電流（ID）和60伏的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了其在高電壓環境下的穩定性能。其導通電阻（RDON）低至140毫歐，在大電流應用中能夠減少發熱，提高效率。柵源閾值電壓（VGS）為20伏，使得它適合需要高電壓驅動的應用場景。該元件適用于各種需要高效能、低損耗開關操作的電子產品設計中，如電源管理或信號調節電路等。
