NTTFS4C08NTAG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備55安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和30伏特的最大漏源電壓（VDSS），確保了其在高功率電路中的穩(wěn)定性能。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為4.7毫歐，在大電流通過時能有效減少發(fā)熱，提高效率。該器件支持最高20伏特的柵源電壓（VGS），保證了良好的開關(guān)特性。適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理等需要高效能、低損耗的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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