IRFR3707ZTRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的最大漏源電壓（VDSS），適用于要求嚴苛的應用中控制電流。其導通電阻（RDSON）僅為7毫歐，有助于減少導通狀態下的能量損耗。該器件設計工作在最大20V的柵源電壓（VGS）下，確保了在多種電路設計中的靈活性與可靠性。通過精確控制，此MOSFET適用于從消費電子產品到便攜式設備等多種場合。
