PHB32N06LT,118_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備30A的連續(xù)電流承載能力（ID），最大可承受漏源電壓（VDSS）為60V，導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為22毫歐，在柵源電壓（VGS）最高可達(dá)20V的情況下提供高效的開關(guān)性能。該MOSFET適用于要求高效能與低損耗的應(yīng)用場景，如便攜式設(shè)備充電管理、電源適配器中的開關(guān)調(diào)節(jié)以及消費類電子產(chǎn)品中的電源管理等。其優(yōu)良的電氣特性使其成為設(shè)計中實現(xiàn)高性能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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