NP23N06YDG_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和60伏的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于需要高電流處理能力和穩(wěn)定電壓性能的電路設(shè)計(jì)。其超低導(dǎo)通電阻（RDON）僅為20毫歐，有效減少了大電流工作時(shí)的能量損耗與發(fā)熱現(xiàn)象。該元件的柵源閾值電壓（VGS）為20伏，確保了在高電壓條件下的良好驅(qū)動(dòng)特性。此MOSFET特別適合用于電源管理、信號(hào)調(diào)節(jié)以及各種需要高效開關(guān)操作和最小化能量損失的應(yīng)用場(chǎng)景中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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