NTMFS4C08NT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有90安培的最大導通電流（ID）和30伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要處理大電流和中等電壓的應用場景。其極低的導通電阻（RDS(on)）僅為3.5毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）條件下，可以大幅減少能量損耗，提升轉換效率。此元件特別適合應用于精密電源管理、高效能開關電路及各類電力電子設備中，它能夠在保證高性能的同時，實現更緊湊的設計與更低的熱輸出，為設計者提供靈活性和可靠性。
