AOSS21115C_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20V的漏源最大電壓（VDSS）與12V的柵源電壓（VGS）。在5A的電流條件下，其導(dǎo)通電阻（RDSON）低至0.035Ω，有助于減少能量損耗。這款MOSFET適用于需要高效能和低熱耗散的設(shè)計(jì)中，例如在消費(fèi)性電子產(chǎn)品內(nèi)的電源路徑控制或者電池供電設(shè)備的負(fù)載開關(guān)電路中，均能發(fā)揮其優(yōu)異性能，確保電路穩(wěn)定可靠的同時(shí)提升整體系統(tǒng)的效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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