TK11S10N1L_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30安培的最大導(dǎo)通電流（ID）和100伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓和大電流環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為35毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）下，能夠顯著降低發(fā)熱，提高效率。此元件憑借低導(dǎo)通電阻特性，適合用于電源管理、電池充電以及高效能轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，確保了穩(wěn)定性和可靠性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了緊湊的設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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