IPD50N06S4L12ATMA2_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續排水電流（ID），能夠承受最高60V的漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）僅為11毫歐，在20V的柵源電壓（VGS）下能有效降低功耗。該MOSFET適用于需要高效能與可靠性的電子設計中，如電源管理、便攜式設備的電源開關以及適配器中的開關應用等。其優良的電氣特性使其成為設計緊湊型高性能電路的理想選擇。
