STF6N65K3_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:7A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:1200mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET擁有7A的連續漏極電流（ID）能力，以及高達650V的最大漏源電壓（VDSS），適用于高壓應用環境。其導通電阻（RDSON）為1200毫歐，在高壓條件下仍能保持較低的能耗。柵源電壓（VGS）最大支持30V，確保了在多種控制信號下的可靠工作。此元件特別適用于需要高壓保護及精確電流控制的場合，如便攜式設備充電管理、電池保護電路等，為設計者提供了一個高壓環境下穩健工作的解決方案。
