IPD50N06S4L08ATMA2_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有80安培的最大導通電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要高效能與穩定性的電路設計。其導通電阻（RDS(on)）僅為6毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）下，確保了低熱損耗和高效率轉換。此元件適合用于電源管理、電池充電解決方案及各類電子設備中的開關應用，能夠在保證性能的同時實現緊湊設計。憑借其優越的電氣特性，該MOSFET為工程師提供了靈活的設計選擇，同時保證了系統的可靠運行。
